选用高纯度的碲、铋、锑、硒和一些特殊的掺杂剂为原材料按一定的比例，经特殊工艺定向生长而制成的一种以Bi₂Te₃基底热电半导体晶棒，适用于室温附近致冷和热发电，是电致冷和热发电模块的核心部分。本公司生产的p型和n型Bi₂Te₃基底热电半导体晶棒的ZT值在300K能达到1以上，该性能国际领先，以其为原料制备的致冷器件和发电器件已得到国内外许多高端客户的认可，同时该晶棒具有利用率高，性能稳定的特性，是制备高温差、高稳定性的电致冷和高转换效率、高稳定性的热发电模块的首选原料。

规格性能	p-Type	n-Type	Note
直径 (mm)	31±2	31±2
长度(mm)	250±30	250±30
密度(gcm-3)	6.8	7.8
电导率 σ(102Sm-1)	850~1250	850~1250	300K
温差电动势 α(μVK-1)	190~230	190~230	300K
热导率 κ(Wm-1K-1)	1.2~1.6	1.2~1.6	300K
功率因子 P(WmK-2)	≥0.005	≥0.005	300K
热电性能指标：ZT值	≥1.0	≥1.0	300K
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    除了上述型号，我们还可以按照您的要求为您设计和制造不同的电导率、Seeback系数、功率因子和ZT值的晶棒 。